Điện thoại Realme GT 7 sẽ mang đến khả năng sạc bypass thế hệ thứ 2 và hỗ trợ nhiều giao thức sạc nhanh

Realme đã chính thức công bố một số chi tiết quan trọng về chiếc Điện thoại GT7 sắp ra mắt của mình. Điểm nhấn đáng chú ý đầu tiên là dung lượng pin cực lớn. Theo đó, Realme GT7 sẽ được trang bị viên pin silicon-carbon với dung lượng ấn tượng 7.200mAh, một con số hiếm thấy và thuộc hàng cao nhất trong số các điện thoại hàng đầu ra mắt trong năm nay.

Không chỉ dừng lại ở dung lượng pin lớn, Realme còn đặc biệt chú trọng đến trải nghiệm sạc và hiệu quả sử dụng năng lượng. Hãng đã xác nhận rằng GT7 sẽ hỗ trợ công nghệ sạc bypass thế hệ thứ hai. Công nghệ này được thiết kế để giảm thiểu lượng nhiệt tỏa ra trong quá trình người dùng vừa chơi game vừa sạc pin, giúp duy trì hiệu suất ổn định và kéo dài tuổi thọ pin. Realme tự tin tuyên bố rằng ngay cả khi được sử dụng với cường độ cao, GT 7 vẫn có khả năng hoạt động lên tới 4,5 giờ chơi game liên tục, 10,2 giờ xem video hoặc 7,4 giờ điều hướng mà vẫn giữ được 50% dung lượng pin.

Bên cạnh đó, GT7 còn gây ấn tượng với khả năng tương thích đa dạng các giao thức sạc nhanh, bao gồm các chuẩn độc quyền như SVOOC cũng như các giao thức phổ biến như PPS, UFCS, PD và các phương pháp sạc tiêu chuẩn khác. Đặc biệt, máy sẽ đi kèm với công nghệ sạc nhanh có dây công suất 100W, hứa hẹn sẽ rút ngắn đáng kể thời gian sạc đầy viên pin dung lượng “khủng”.

Mặc dù Realme vẫn chưa tiết lộ toàn bộ thông số kỹ thuật của GT7 một cách chính thức, nhưng những thông tin rò rỉ đã phần nào hé lộ bức tranh tổng thể. Theo các nguồn tin này, GT7 dự kiến sẽ sở hữu màn hình BOE phẳng kích thước lớn với tần số quét 144Hz mượt mà đi kèm với viền màn hình siêu mỏng và cảm biến vân tay siêu âm tích hợp dưới màn hình.

Về hiệu năng, sức mạnh của Realme GT7 sẽ đến từ con chip Dimensity 9400+ 3nm mới nhất của MediaTek. Đây là một vi xử lý hàng đầu, được kỳ vọng sẽ mang lại hiệu suất vượt trội và cũng sẽ xuất hiện trên các mẫu flagship hiệu năng cao khác như Redmi K80 Ultra và OnePlus Ace 5s Pro. Để khai thác tối đa sức mạnh của vi xử lý này, Realme sẽ trang bị cho GT7 công nghệ GT Performance Engine 2.0 độc quyền của hãng, mang đến những tối ưu hóa đặc biệt cho các nhân xử lý, hứa hẹn mang lại tốc độ khung hình ổn định và trải nghiệm chơi game mượt mà hơn bao giờ hết.

Khả năng tản nhiệt cũng là một yếu tố được Realme đầu tư nghiêm túc trên GT7. Hãng tự hào giới thiệu một thiết kế tản nhiệt đầu tiên trong ngành bằng cách sử dụng tấm ốp lưng được chế tạo từ vật liệu graphene fiberglass fusion. Theo Realme, vật liệu này có độ dẫn nhiệt cao gấp sáu lần so với kính tiêu chuẩn, giúp tản nhiệt hiệu quả hơn. Bên trong, điện thoại sẽ được trang bị buồng hơi có diện tích lên tới 7.700mm², khiến nó trở thành hệ thống làm mát bằng buồng hơi đơn lớn nhất từng được trang bị trên bất kỳ chiếc điện thoại thông minh nào cho đến thời điểm hiện tại. Ngoài ra, GT7 còn được đồn đoán sẽ có khả năng chống nước đạt chuẩn IP69 và sở hữu khung viền bằng nhựa nhẹ.

Minh Hoàng