Theo Tom’s Hardware và Technetbook, BiCS9 sử dụng công nghệ CMOS directly Bonded to Array (CBA), sản xuất riêng lẻ wafer logic và tế bào nhớ dưới điều kiện tối ưu, sau đó gắn kết thành một gói hiệu năng cao. Điều này cho phép Kioxia kết hợp các cấu trúc tế bào cũ như 112-layer BiCS5 hoặc 218-layer BiCS8 với giao diện I/O hiện đại, đạt tốc độ Toggle DDR 6.0 lên đến 3,6 Gb/s và 4,8 Gb/s trong điều kiện thử nghiệm (web:0, web:2). So với chip TLC 512 Gb trước đó, BiCS9 cải thiện:
- Hiệu suất ghi: Tăng 61%.
- Tốc độ đọc: Tăng 12%.
- Hiệu suất năng lượng: Tiết kiệm 36% khi ghi, 27% khi đọc.
- Mật độ bit: Tăng 8%
Dù có số lớp (layers) ít hơn BiCS8 (218 lớp) hay BiCS10 sắp tới (332 lớp), BiCS9 vẫn mang lại hiệu năng ấn tượng nhờ tối ưu chi phí, lý tưởng cho SSD doanh nghiệp phục vụ AI và lưu trữ tầm trung. SanDisk nhấn mạnh rằng BiCS9 đạt tốc độ giao diện NAND 4,8 Gb/s, cải thiện 33% so với BiCS8, và giảm tiêu thụ điện 10% khi nhập, 34% khi xuất dữ liệu nhờ công nghệ PI-LTT.
BiCS9 được thiết kế để đáp ứng nhu cầu lưu trữ “khủng” của các ứng dụng AI, học máy, tính toán hiệu năng cao (HPC), nơi cần tốc độ cao, độ trễ thấp, tiết kiệm năng lượng để cung cấp dữ liệu cho GPU. Các SSD dùng BiCS9 như dòng KIOXIA CD9P giúp GPU hoạt động tối đa hiệu suất, giảm nhiệt độ và chi phí sở hữu tổng thể. CTO Hideshi Miyajima của Kioxia nhấn mạnh: “Với sự bùng nổ của AI, nhu cầu về lưu trữ hiệu quả năng lượng tăng mạnh. BiCS9 đáp ứng bằng tốc độ cao và tiêu thụ điện thấp, đặt nền móng cho giải pháp lưu trữ tương lai”.
So với BiCS8 (dùng trong SSD KIOXIA CM9, đạt 14,8 GB/s đọc tuần tự, 11 GB/s ghi tuần tự), BiCS9 tiếp tục cải tiến hiệu suất mỗi watt với 60% cải thiện đọc tuần tự và 45% ghi tuần tự. BusinessWire lưu ý rằng BiCS9 hỗ trợ PCIe 5.0 NVMe, chuẩn OCP Datacenter NVMe SSD 2.5, có dung lượng lên đến 61,44 TB (2.5-inch) hoặc 30,72 TB (E3.S).
https%3A%2F%2Fvnreview.vn%2Fthreads%2Fkioxia-ra-mat-cong-nghe-ssd-dot-pha-cho-doanh-nghiep-trong-ky-nguyen-ai.66243%2F
